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Autor:  

Stark, Oliver Gerhard

Titel:  

Beiträge zur Precursorchemie von GaN-Materialien : Gruppe-III-Amid/Azide und Gruppe-III-Tris(trimethylstannyl)amin-Addukte


Dissertation 
URN:  urn:nbn:de:hbz:294-5102
URL:  http://www-brs.ub.ruhr-uni-bochum.de/netahtml/HSS/Diss/StarkOliverGerhard/diss.pdf
Format:  application/pdf (4 M)
Kommentar:  Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Chemie und Biochemie. Tag der mündlichen Prüfung: 2002-04-25

Inhaltsverzeichnis
Datei:  http://www-brs.ub.ruhr-uni-bochum.de/netahtml/HSS/Diss/StarkOliverGerhard/Inhaltsverzeichnis.pdf
Format:  application/pdf (98.1 k)

Zusammenfassung
Datei:  http://www-brs.ub.ruhr-uni-bochum.de/netahtml/HSS/Diss/StarkOliverGerhard/Zusammenfassung.pdf
Format:  application/pdf (439.9 k)

Schlagworte:  Halbleiter; Schicht; Azide; Amide; Pyrolyse

Inhalt der Arbeit: 

Die Dissertation beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von molekularen Vorstufenverbindungen zur Synthese von III-V-Halbleitern. Neben der Synthese intramolekular adduktstabilisierter Amido-Diazide der Erdmetalle wurden addukstabilisierte Gruppe-III-Amide synthetisiert, die sich durch Transaminierungsreaktionen mit Ammoniak und einer anschließenden Temperaturbehandlung zu III-V-Halbleitern umwandeln. Dies wurde durch Schichtwachstum über Spin-coating-Experimente und Sol-Gel-Synthesen erprobt. Des weiteren wurden Donor-Akzeptor-Komplexe von Tris(trimethylstannyl)amin-Derivaten der Erdmetalle hergestellt, die durch thermische Zersetzungen ebenfalls III-V-Halbleiterpulver bilden.


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