In dieser Arbeit wird eine Technologie erarbeitet, mit der es möglich ist, einzelne MBE-gewachsene InAs-Quantenpunkte in einer GaAs-Matrix elektrisch zu kontaktieren. Dazu sind diese in einer vertikalen pin-Diode minimaler aktiver Fläche, einer sogenannten μ-LED-Struktur, eingebettet. Hierbei ist eine spezielle Geometrie in Form von gekreuzten n- bzw. p-dotierten Streifen erforderlich, von denen der tiefer liegende Streifen durch Implantationsdotierung realisiert wird.
Bei der Herstellung der μ-LED müssen die InAs-Quantenpunkte daher auf implantierter Oberfläche abgeschieden werden. Ein Schwerpunkt der Arbeit ist daher das Wachstum von InAs-Quantenpunkten auf Si- bzw. Be-implantierter GaAs-Oberfläche. Es werden darüber hinaus μ-LED-Strukturen mit aktiven Flächen kleiner 1μm2 hergestellt, an denen Elektrolumineszenzmessungen an einzelnen Quantenpunkten erfolgen.
Ein weiterer Schwerpunkt sind Kapazitätsmessungen an den Lochzuständen der InAs-Quantenpunkte und deren Interpretation.
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