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Autor:  

Poenariu, Victorina

Titel:  

Influence of lateral electric field in InAs-Quantum Dots


Dissertation 
URN:  urn:nbn:de:hbz:294-17277
URL:  http://www-brs.ub.ruhr-uni-bochum.de/netahtml/HSS/Diss/PoenariuVictorina/diss.pdf
Format:  application/pdf (3.4 M)
Kommentar:  Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie. Tag der mündlichen Prüfung: 2006-02-08

Inhaltsverzeichnis
Datei:  http://www-brs.ub.ruhr-uni-bochum.de/netahtml/HSS/Diss/PoenariuVictorina/Inhaltsverzeichnis.pdf
Format:  application/pdf (35.5 k)

Zusammenfassung
Datei:  http://www-brs.ub.ruhr-uni-bochum.de/netahtml/HSS/Diss/PoenariuVictorina/Zusammenfassung.pdf
Format:  application/pdf (58.8 k)

Schlagworte:  Quantenpunkt; Elektrisches Feld; Stark-Effekt; Elektronenstrahltechnologie; Photoluminiszenzspektroskopie

Inhalt der Arbeit: 

Diese Dissertation beschäftigt sich mit der Herstellung lateraler in-plane p-i-n und n-i-n Strukturen und der Untersuchung von selbstangeorded InAs - Quantenpunkten unter Einfluss eines elektrischen Feldes. Das technische Herstellungsverfahren bezieht eine Kombinatorische Musterungs- Technik mit ein, die auf Elektronenstrahllithographie, Fokussierte- Ionenstrahleimplantation und optischer Standardlithographie basiert.
Die Steuerung von Exziton Wellenfunktionen in Inx Ga1-x/GaAs durch seitliche elektrische Felder wurde durch Photolumineszenz-Spektroskopie untersucht. Eine Rotverschiebung ist aus der Punktspektroskopie an den Quantenpunkten beobachtet und kann durch den begrenzten Starkschen Quanten Effekt erklärt werden. Darüber hinaus ist eine Zeitaufgelöste Photolumineszenz-Messungen verwendet worden, um die starken Änderungen in dem Verhalten der Exzitonstrahlungslebensdauer als Folge der signifikant seitlichen Versetzungen innerhalb der Punkte sichtbar zu machen.


Inhalt der Arbeit (übersetzt): 

The present dissertation is dealing with the fabrication of a lateral in-plane p-i-n and n-i-n structures and investigation of the effect of lateral electric field on self-assembled InAs-quantum dots. The fabrication technology process involves a combinative patterning technique based on electron beam lithography, focus ion beam implantation and standard optical lithography.
The control of exciton wave functions in Inx Ga1-x/GaAs through lateral electric fields were studied by photoluminescence spectroscopy. A red shift is obtained from the single dot spectroscopy and can be explained by the quantum confined Stark effect. Also, time-resolved photoluminescence measurements have been used to disclose the strong changes in the exciton radiative lifetime behaviour as a consequence of significant lateral displacements within the dots.


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