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Autor:  

Pawlak, Michal

Titel:  

Thermal and electrical properties of semiconductors measured by means of photopyroelectric and photocarrier radiometry techniques


Dissertation 
URN:  urn:nbn:de:hbz:294-28059
URL:  http://www-brs.ub.ruhr-uni-bochum.de/netahtml/HSS/Diss/PawlakMichal/diss.pdf
Format:  application/pdf (1.8 M)
Kommentar:  Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie. Tag der mündlichen Prüfung: 2010-1-18

Inhaltsverzeichnis
Datei:  http://www-brs.ub.ruhr-uni-bochum.de/netahtml/HSS/Diss/PawlakMichal/Inhaltsverzeichnis.pdf
Format:  application/pdf (18 k)

Zusammenfassung
Datei:  http://www-brs.ub.ruhr-uni-bochum.de/netahtml/HSS/Diss/PawlakMichal/Zusammenfassung.pdf
Format:  application/pdf (21.6 k)

Schlagworte:  Wärmeleitfähigkeit, Thermodiffusion, Photothermische Radiometrie, Silicium / Wafer

Inhalt der Arbeit: 

Die thermische Leitfähigkeit und Diffusivität von Cd1-xMgxSe-Einkristallen wird mittels Photopyroelektrischen Methoden bestimmt. Es wird festgestellt, dass die thermische Leitfähigkeit der Einkristalle sich um einen Faktor 3 reduziert, wenn die Mg Konzentration von 0% bis zu 40% erhöht wird. Weiterhin wird gezeigt, dass die Existenz eines "space charge layer" oder des Bipolarer Rekombinationsmechanismus bei der Messung mittels Photocarrier Radiometrie wichtig für den elektrischen Transport in Silizium-Wafern ist. Die eingeführten nicht-linearen Koeffizienten, welche sich aus den Intensitätsmessungen berechnen lassen, erhöhen signifikant die Genauigkeit in der Bestimmung der Ladungsträger Transporteigenschaften. Somit konnte durch diese Arbeit gezeigt werden, dass die Photocarrier Radiometrie ein leistungsfähiges Instrument zur Bestimmung der elektronischen Eigenschaften von Silizium-Wafern ist.


Inhalt der Arbeit (übersetzt): 

The thermal conductivity and diffusivity of Cd1-xMgxSe single crystals was measured by means of the photopyroelectric technique. It was found that thermal conductivity of Cd1-xMgxSe single crystals decreases by a factor of three as the Mg concentration is increased from zero to about 40 %. It was shown that in some cases the existence of a space charge layer or bipolar recombination mechanism can be important when the electrical transport properties of silicon wafers are measured by photocarrier radiometry. The introduced nonlinear coefficient, which could be determined from intensity-scans, can considerably improve estimated values of the carrier transport parameters. Altogether it is demonstrated that the photocarrier radiometry technique is a powerful tool for the investigation of electronic properties of silicon wafers.


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