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Mit Hilfe der fokussierten Ionenstrahlanlage (FIB) wurden laterale Gates auf GaAs/Al(x)Ga(1-x)As-Heterostrukturen implantiert und systematisch die Längswiderstandsbeeinflussung als Funktion der Gatespannung untersucht. Im Bereich des fraktionellen
Quanten Hall Effektes wurde eine Umkehrung des Gatespannungsverhaltens beobachtet. Der geometrische Einfluss der Kanalbreitenänderung durch das implantierte Gate konnte durch speziell geätzte Proben bestimmt werden.
Oberflächenätzversuche haben darüber hinaus gezeigt, dass die Oberflächenoxide einen nicht zu vernachlässigenden Einfluss auf die Längswiderstandswerte beziehungsweise das Streu-, Kopplungsverhalten der Randkanäle
haben.
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